SAT NANO는 중국의 전문 제조업체 및 공급업체입니다. 우리 공장은 탄소 나노튜브, 은 코팅 구리 분말, 실리콘 카바이드 나노입자 등을 제공합니다. 극단적인 디자인, 고품질 원료, 고성능 및 경쟁력 있는 가격은 모든 고객이 원하는 것이며, 그것이 또한 우리가 당신에게 제공할 수 있는 것입니다. 우리는 고품질, 합리적인 가격 및 완벽한 서비스를 제공합니다.
SAT NANO 구형 니오븀 하프늄 합금 분말 C103은 다양한 용도로 사용할 수 있습니다. 니오브 합금 분말의 주요 특징은 높은 융점, 높은 경도, 높은 내마모성, 강한 내식성, 낮은 열팽창 계수, 우수한 가공 및 변형 특성입니다. 구형 니오븀 하프늄 합금 분말 C103은 5-25um, 15-45um, 15-53um, 45-75um, 45-105um, 75-150um에 사용할 수 있습니다.
고품질 나노 니켈 페라이트 NiFe2O4는 중국 제조업체 SAT NANO에서 제공됩니다. 고품질의 나노 니켈 페라이트 NiFe2O4 분말을 저렴한 가격으로 직접 구매하세요. 나노 니켈 페라이트 분말은 우수한 자성, 높은 비표면적, 우수한 화학적 안정성 및 열 안정성을 가지고 있습니다. 자성재료, 촉매, 배터리 재료, 나노복합체, 자성유체 등의 분야에서 폭넓게 응용되고 있습니다. 이러한 응용은 여러 분야에서 나노 니켈 페라이트 분말의 잠재력과 중요성을 보여줍니다.
고품질 니켈 아연 페라이트 분말은 중국 제조업체 SAT NANO에서 제공됩니다. 고품질의 니켈아연 페라이트 분말을 저렴한 가격으로 직접 구매하세요니켈아연 페라이트 분말은 우수한 자기적 특성, 우수한 내식성, 높은 열안정성, 우수한 열전도율을 가지고 있어 자성재료, 페라이트 코어, 전자 장치, 전자기 차폐 등 SAT NANO는 니켈 아연 페라이트 분말 20-30nm를 99%로 공급합니다.
초미세 AlN 분말 1-3um은 질화알루미늄 입자로 구성된 미세한 분말입니다. 이는 다양한 응용 분야에서 높은 인기를 누리게 만드는 몇 가지 독특한 특성을 나타냅니다. 초미세 AlN 분말은 경도가 매우 높아 기존의 산화알루미늄보다 훨씬 높습니다. 경도가 다이아몬드와 유사하여 내마모성이 뛰어난 소재입니다.
SAT NANO는 중국의 구형 실리콘 분말을 생산하는 우수한 제조업체입니다. 구형 실리콘 분말은 높은 비표면적, 크기 효과 및 우수한 기계적 특성을 갖고 있어 촉매, 재료 강화제, 전자 및 에너지 등 다양한 분야에서 널리 사용됩니다. SAT NANO가 생산하는 구형 실리콘 분말은 전 세계 여러 나라에서 베스트셀러입니다.
신소재의 중요한 구성요소인 첨단 세라믹 소재는 통신, 전자, 항공, 항공우주, 군사 등 첨단 분야에서 널리 사용될 뿐만 아니라 최근 몇 년간 반도체, 신에너지 산업 분야에서도 급속도로 발전하고 있습니다. , 차세대 첨단 세라믹 소재의 가장 유망한 응용 분야가 되고 있습니다.
산화마그네슘 나노분말은 뛰어난 열 안정성, 고순도, 탁월한 촉매 활성, 항균 성능 및 전기 절연 특성으로 인해 현대 산업에서 가장 다용도가 높은 나노 소재 중 하나로 부상했습니다. 전문 나노재료 공급업체인 SAT NANO는 연구 실험실, 첨단 제조, 에너지 기술, 세라믹, 촉매, 전자 및 생물 의학 응용 분야를 위한 일관된 입자 크기 분포와 맞춤형 사양을 갖춘 고품질 산화마그네슘 나노분말을 제공합니다.
소형 입자 알루미나 파우더는 고유 한 물리적 및 화학적 특성으로 인해 세라믹, 화학 공학, 전자 제품 및 기타 필드에 광범위한 응용 분야를 가지고 있습니다. 그러나, 실제 적용에서, 소형 알루미나 분말은 응집이 발생하기 쉽다. 이는 서로 부착되는 분말 입자의 현상을 지칭하고 다양한 요인으로 인해 저장, 운송 또는 사용 중에 더 큰 골재를 형성한다. 성능에 영향을 미칩니다. 응집 현상은 유동성이 떨어질 수 있고 분말의 분산 성을 감소시켜 제품 품질에 영향을 줄 수 있습니다.
IC (Integrated Circuit) 기술의 개발로, 실리콘 기반 금속 산화물 반도체 (MOS)의 스케일링은 FETS (Field-Effect Transistors)의 스케일링이 기본 물리적 한계에 접근하고 있습니다. 탄소 나노 튜브 (CNT)는 원자 두께와 독특한 전기 특성으로 인해 실리콘 시대의 유망한 재료로 간주되며, 전력 소비를 줄이면 트랜지스터 성능을 향상시킬 가능성이 있습니다. 고순도 정렬 된 탄소 나노 튜브 (A-CNT)는 고전류 밀도로 인해 고급 IC를 구동하기에 이상적인 선택입니다. 그러나, 채널 길이 (LCH)가 30nm 미만으로 감소하면 단일 게이트 (SG) A-CNT FET의 성능은 유의하게 감소하며, 주로 스위칭 특성이 악화되고 누출 전류가 증가하는 것으로 나타납니다. 이 기사는 이론적 및 실험적 연구를 통해 A-CNT FET의 성능 저하 메커니즘을 밝히고 솔루션을 제안하는 것을 목표로합니다.
