단일벽 탄소나노튜브를 제조하는 방법에는 크게 아크법, 레이저 어블레이션법, 화학기상증착법(CVD) 세 가지가 있다.
IC (Integrated Circuit) 기술의 개발로, 실리콘 기반 금속 산화물 반도체 (MOS)의 스케일링은 FETS (Field-Effect Transistors)의 스케일링이 기본 물리적 한계에 접근하고 있습니다. 탄소 나노 튜브 (CNT)는 원자 두께와 독특한 전기 특성으로 인해 실리콘 시대의 유망한 재료로 간주되며, 전력 소비를 줄이면 트랜지스터 성능을 향상시킬 가능성이 있습니다. 고순도 정렬 된 탄소 나노 튜브 (A-CNT)는 고전류 밀도로 인해 고급 IC를 구동하기에 이상적인 선택입니다. 그러나, 채널 길이 (LCH)가 30nm 미만으로 감소하면 단일 게이트 (SG) A-CNT FET의 성능은 유의하게 감소하며, 주로 스위칭 특성이 악화되고 누출 전류가 증가하는 것으로 나타납니다. 이 기사는 이론적 및 실험적 연구를 통해 A-CNT FET의 성능 저하 메커니즘을 밝히고 솔루션을 제안하는 것을 목표로합니다.
Sat Nano에 대한 우리의 연구는 몇 가지 중요한 장점을 확인했습니다. 첫째, 보리드 나노 입자 첨가제는 수분 및 화학적 침투에 대한 더 밀도가 높고 응집력있는 장벽을 만듭니다. 둘째, 그들은 내마모성을 극적으로 향상시킵니다. 종종 표준 코팅에 비해 200-300% 증가합니다. 셋째, 기존 코팅이 빠르게 저하되는 800 ° C를 초과하는 온도에서 안정성을 유지합니다.
탄소 나노 튜브에 대한 Van der 발상 용접의 개발은 거시적 규모에서 CNT의 뛰어난 기계적 특성을 활용하는 데 상당한 발전을 나타냅니다. 추가 정제 및 최적화를 통해이 혁신적인 용접 방법은 고성능 재료의 제조에 혁명을 일으킬 수 있으며, 가벼운, 내구성 및 강력한 구조적 구성 요소가 필요한 필드의 진행 상황을 유도 할 수 있습니다. 연구자들이 나노 기술의 경계를 계속 추진함에 따라, 미래는 산업 응용 분야에서 탄소 나노 튜브의 광범위한 채택을 유망한 것으로 보인다.
구리 산화물 나노 입자 (Cuo NP)는 표면적, 항균 활성 높이, 우수한 열전도율과 같은 특별한 특성을 가진 작은 입자입니다. 전자 제품, 의료 또는 에너지 저장에 있다면이 나노 입자는 당신이 간과하고있는 게임 체인저 일 수 있습니다.
