SAT NANO는 중국의 전문 제조업체 및 공급업체입니다. 우리 공장은 탄소 나노튜브, 은 코팅 구리 분말, 실리콘 카바이드 나노입자 등을 제공합니다. 극단적인 디자인, 고품질 원료, 고성능 및 경쟁력 있는 가격은 모든 고객이 원하는 것이며, 그것이 또한 우리가 당신에게 제공할 수 있는 것입니다. 우리는 고품질, 합리적인 가격 및 완벽한 서비스를 제공합니다.
SAT NANO 구형 CoCrW 합금 분말은 다양한 용도로 사용될 수 있습니다. 코발트 크롬 텅스텐 합금 분말은 코발트, 크롬 및 텅스텐과 같은 원소로 구성된 합금 재료로 높은 경도, 고온 강도 및 내식성의 특성을 가지고 있습니다. 구형 CoCrW 합금 분말은 0-25um, 15-53um, 45-105um, 75-150um에 사용할 수 있습니다.
SAT NANO 나노은 비스무트 합금 분말은 다양한 용도로 사용될 수 있습니다. 나노 은 비스무트 합금 분말은 전도성이 높은 전자 부품에 널리 사용됩니다. 나노 은 비스무트 합금 분말 AgBi 합금 나노 입자는 100nm 100nm, 300nm, 500nm, 1um, 고순도 99.9%, Bi 5-30% 함량으로 제공됩니다. 사양을 꼭 확인해 주시기 바랍니다.
SAT NANO 구형 탄탈륨 텅스텐 합금 분말은 다양한 용도로 사용될 수 있습니다. 탄탈륨 텅스텐 합금 분말은 탄탈륨과 텅스텐을 일정 비율로 혼합하여 형성된 고성능 합금 분말입니다. 고온 내산화성, 고강도 및 고경도를 지닌 특수 합금 분말입니다. 구형 탄탈륨 텅스텐 합금 분말은 5-25um, 15-45um, 15-53um, 45-75um, 45-105um, 75-150um에 사용할 수 있습니다. .
SAT NANO는 고품질 황색광 그래핀 산화물 양자점 나노입자이며 고품질 황색광 그래핀 산화물 양자점 나노입자를 도매할 수 있는 중국의 공급업체입니다. 고품질 황색광 그래핀 산화물 양자점 나노입자는 에너지 저장, 전극과 같은 분야에서 광범위한 응용 전망을 가지고 있습니다. 재료, 슈퍼커패시터, 촉매 등. 우리는 당신에게 전문적인 서비스와 더 나은 가격을 제공할 수 있습니다. 당신이 제품에 관심이 있다면, 우리에게 연락 주시기 바랍니다. 우리는 양심의 대가, 헌신적인 서비스라는 안심의 품질을 따릅니다.
SAT NANO 은 코팅 구리 분말은 다양한 용도로 사용될 수 있습니다. 은 코팅 구리 분말 Ag 코팅 Cu 입자는 전도성 페이스트, 회로 기판, EMI 차폐 등과 같은 전자 재료 준비 분야에서 널리 사용됩니다. 은 코팅 구리 분말 r은 300nm, 500nm, 1-3um, 5um, 고순도 99.9%, 형태: 구형, 박편상, 수지상. 사양을 꼭 확인해 주시기 바랍니다.
전문적인 고품질 미크론 구리 분말 제조 업체로서, 우리 공장에서 SAT NANO 나노 구리 분말을 구입하시면 안심하실 수 있으며 최고의 판매 후 서비스와 적시 배송을 제공할 것입니다. 미크론 구리 분말은 전자, 전기, 세라믹, 합금 제조 및 부식 방지 분야에 광범위하게 응용되는 매우 유용한 재료입니다.
During the transportation process of powder, it is necessary to avoid stacking, as stacking can affect the fluidity of the powder. Stacking can be avoided by installing slopes, increasing transportation pipelines, and other methods.
인체에 중요한 영양소인 미네랄 망간에 대해서는 누구나 알고 있습니다. 그러나 많은 사람들이 망간이 우리를 건강하게 유지하는 것 이상의 역할을 할 수 있다는 사실을 모르고 있을 수도 있습니다. 과학자들은 망간이 나노망간 또는 나노 규모의 이산화망간 분말이라는 미세한 분말로 가공될 때 다양한 분야에서 다양한 응용 분야에 엄청난 잠재력을 가질 수 있음을 발견했습니다. 이 블로그 게시물에서는 혁신적인 나노기술과 이산화망간 분말의 응용을 살펴보겠습니다.
IC (Integrated Circuit) 기술의 개발로, 실리콘 기반 금속 산화물 반도체 (MOS)의 스케일링은 FETS (Field-Effect Transistors)의 스케일링이 기본 물리적 한계에 접근하고 있습니다. 탄소 나노 튜브 (CNT)는 원자 두께와 독특한 전기 특성으로 인해 실리콘 시대의 유망한 재료로 간주되며, 전력 소비를 줄이면 트랜지스터 성능을 향상시킬 가능성이 있습니다. 고순도 정렬 된 탄소 나노 튜브 (A-CNT)는 고전류 밀도로 인해 고급 IC를 구동하기에 이상적인 선택입니다. 그러나, 채널 길이 (LCH)가 30nm 미만으로 감소하면 단일 게이트 (SG) A-CNT FET의 성능은 유의하게 감소하며, 주로 스위칭 특성이 악화되고 누출 전류가 증가하는 것으로 나타납니다. 이 기사는 이론적 및 실험적 연구를 통해 A-CNT FET의 성능 저하 메커니즘을 밝히고 솔루션을 제안하는 것을 목표로합니다.
나노기술 분야에서는 단결정, 다결정, 비정질 나노물질 등 세 가지 유형의 나노물질이 일반적으로 사용된다. 이러한 재료는 다양한 분야에서 서로 다른 구조, 특성 및 용도를 가지고 있습니다. 이 글에서는 이 세 가지 유형의 나노물질과 그 특성, 응용에 대한 개요를 제공할 것입니다.
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